اگرچه کمپانی توشیبا از تکنولوژی تولید ۱۹نانومتری استفاده می کند، اما این تکنولوژی در تولید تراشه های NAND Flash استفاده می شود نه برروی DRAMها، پس DRAMهای جدید سامسونگ را با خیال راحت می توان پیشرفته ترین محصول این بخش نامید. سامسونگ خود این محصول را پیشرفته ترین حافظه DDR3 می نامد، چیپ هایی که براساس فرآیند تولید ۲۰نانومتری ساخته شده اند.

این محصول جدید سامسونگ DDR3 DRAMهای ۴ گیگابیتی است که از تکنولوژی تغییریافته الگودهی دوبل بهره می برد. همچنین لایه های دی الکتریک فوق العاده باریک خازن های سلولی اجازه عملکرد سلولی بالاتری به آنها میدهد. بهره وری تولید این محصول نسبت به DDR3های ۲۴نانومتری تا ۳۰درصد بالاتر می باشد. این رقم در مقایسه با محصولات ۳۰ نانومتری به ۱۰۰ درصد می رسد. چیپ های ۴ گیگابیتی DDR3 سامسونگ بزودی در محصولات مختلف از جمله اسمارت فون، تبلت ها، DIMMها، SO-DIMM ها و سایر ماژولها مورد استفاده قرار می گیرد.